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论文《GD09-003亚微米CMOS低温特性研究与物理建模》探讨了亚微米CMOS器件在低温环境下的电学特性及其物理机制。通过实验与理论分析，研究揭示了低温对载流子迁移率、阈值电压及漏电流的影响，建立了相应的物理模型。该成果为低温电子器件设计提供了理论依据和技术支持，具有重要的工程应用价值。 ","role":"assistant文档为pdf格式，0.07MB，总共1页。
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- GD09-003亚微米CMOS低温特性研究与物理建模 - 第10届全国光电技术学术交流会.pdf ...
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