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Experiment on lapping 6H-SiC crystal substrate (0001) Si surfacebased on diamondparticle - 2012年中国(国际)光整加工技术及表面工程学术会议.pdf

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该论文介绍了基于金刚石颗粒对6H-SiC晶体基底(0001)Si面进行研磨实验的研究。通过调整工艺参数，分析了研磨效果与表面质量的关系，探讨了金刚石颗粒在研磨过程中的作用机制。研究结果为提高6H-SiC晶体表面加工精度提供了理论依据和技术支持，对光整加工技术的发展具有重要意义。

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Experiment on lapping 6H-SiC crystal substrate (0001) Si surfacebased on diamondparticle - 2012年中国(国际)光整加工技术及表面工程学术会议

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学术, 加工, 会议, 国际, 表面工程

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