(In)AlN_GaN异质结材料与场效应晶体管 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

论文《(In)AlN_GaN异质结材料与场效应晶体管》介绍了基于(In)AlN/GaN异质结的新型半导体材料及其在场效应晶体管中的应用。该研究探讨了材料的结构特性、界面性质以及器件性能，为高性能微波器件和光电器件的发展提供了理论支持和技术参考。论文在第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议上发表，展示了该领域的最新研究成果。

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2025-12-14 14:24 上传 (In)AlN_GaN异质结材料与场效应晶体管 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

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