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论文《高K介质_InGaAs界面工程在金属氧化物半导体场效应晶体管中的应用》探讨了在InGaAs基MOSFET中使用高K介质材料的界面优化技术。研究旨在提升器件性能，降低界面缺陷密度，改善电学特性。该文针对高K介质与InGaAs之间的界面工程进行了系统分析，为高性能、低功耗电子器件的发展提供了理论支持和技术参考。 文档为pdf格式，0.14MB，总共5页。
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- 高K介质_InGaAs界面工程在金属氧化物半导体场效应晶体管中的应用 - 第5届海内外中华青年材料科学技术研讨会 ...
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