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酸蚀刻单晶硅片粗糙度研究 - 第二十五届中国(天津)2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议.pdf

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论文《酸蚀刻单晶硅片粗糙度研究》探讨了酸蚀刻工艺对单晶硅片表面粗糙度的影响。通过实验分析不同蚀刻条件下的表面形貌变化，研究发现蚀刻时间、浓度及温度等因素显著影响硅片的粗糙度。该研究为优化半导体制造工艺提供了理论依据和技术支持，具有重要的工程应用价值。

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酸蚀刻单晶硅片粗糙度研究 - 第二十五届中国(天津)2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议

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硅片, 学术会议, 信息技术, 天津, 仪器仪表

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