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超高压SiGe HBT器件结构及制作工艺研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 09:30 | 查看全部阅读模式

论文《超高压SiGe HBT器件结构及制作工艺研究》探讨了适用于超高压环境的SiGe异质结双极晶体管（HBT）的结构设计与制造工艺。通过优化器件结构和工艺参数，提高了器件的击穿电压和工作稳定性。研究为高性能、高可靠性半导体器件的发展提供了理论支持和技术路径。

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超高压SiGe HBT器件结构及制作工艺研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

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学术会议, 集成电路, 半导体, 器件, 结构

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