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论文《超薄插入层对顶层SiGe薄膜的影响》探讨了在SiGe薄膜制备过程中，超薄插入层对其结构和性能的影响。研究通过实验分析了不同插入层材料和厚度对顶层SiGe薄膜的晶格质量、应力分布及电学特性的作用。结果表明，合理设计插入层可有效改善薄膜质量，提升器件性能，为高性能SiGe基器件的开发提供了理论依据和技术支持。 文档为pdf格式，0.34MB，总共3页。
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- 超薄插入层对顶层SiGe薄膜的影响 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf ...
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