自然氧化对MOCVD生长的In0.13Al0.87N外延层表面电子特性的影响 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

该论文研究了自然氧化对MOCVD生长的In0.13Al0.87N外延层表面电子特性的影响。通过分析氧化后表面的电学性质，发现氧化过程改变了表面态密度和界面电荷分布，进而影响了材料的导电性能。研究结果为优化InAlN外延层的制备工艺提供了理论依据，对提升半导体器件性能具有重要意义。

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2025-12-14 09:07 上传 自然氧化对MOCVD生长的In0.13Al0.87N外延层表面电子特性的影响 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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