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论文《用于3D集成封装技术的TSV互连工艺现状与趋势》在第十七届全国混合集成电路学术会议上发表，系统介绍了三维集成封装中通孔互连（TSV）技术的最新发展。文章分析了TSV工艺的关键技术难点，如深孔刻蚀、介质层沉积和铜填充等，并探讨了其在高密度互连中的应用前景。同时，对TSV技术的未来发展趋势进行了展望，为相关研究提供了重要参考。 文档为pdf格式，0.94MB，总共8页。
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