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沟槽栅FS-IGBT器件形貌结构的开发 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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2025-12-14 07:08 | 查看全部阅读模式

该论文介绍了沟槽栅FS-IGBT器件的形貌结构开发，旨在提升器件性能和可靠性。通过优化沟槽结构和栅极设计，提高了器件的导通与开关特性。研究为IGBT技术的发展提供了新思路，对半导体器件产业具有重要意义。

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沟槽栅FS-IGBT器件形貌结构的开发 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

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沟槽, 形貌, 研讨会, 器件, 新技术

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