毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

该论文探讨了毫米波GaN基HEMT器件材料结构的发展，分析了其在高频性能和功率效率方面的优势。研究重点包括材料生长技术、界面特性以及器件设计优化，旨在提升器件在通信和雷达系统中的应用潜力。文章总结了2011年该领域的主要进展，并展望了未来发展方向。

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2025-12-14 06:50 上传 毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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