栅氧退化效应下纳米级[微软用户1]SRAM单元临界电荷分析 - 第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛.pdf

论文《栅氧退化效应下纳米级SRAM单元临界电荷分析》探讨了在栅氧退化影响下，纳米级SRAM单元的临界电荷特性。通过分析退化对器件性能的影响，研究提出了评估SRAM稳定性的新方法，为提高存储器可靠性和设计优化提供了理论依据。

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2025-12-14 06:39 上传 栅氧退化效应下纳米级[微软用户1]SRAM单元临界电荷分析 - 第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛.pdf

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