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晶圆级单轴应变SOI研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 06:19 | 查看全部阅读模式

论文《晶圆级单轴应变SOI研究》介绍了在晶圆级别上实现单轴应变SOI的技术方法。通过特殊工艺在硅层上引入单轴应力，可有效提升晶体管性能。该研究对高性能集成电路设计具有重要意义，为未来半导体器件的优化提供了新思路。

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晶圆级单轴应变SOI研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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学术会议, 应变, 集成电路, 半导体, 材料

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