论文《垂直硅纳米线工艺研究》探讨了垂直硅纳米线的制备工艺及其特性。文章介绍了通过化学气相沉积和反应离子刻蚀等技术实现纳米线的生长与结构控制，分析了影响纳米线性能的关键因素。研究为高性能纳米器件的开发提供了理论基础和技术支持，对半导体集成电路的发展具有重要意义。
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