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论文《半导体器件的抗静电性能分析》发表于2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会,主要探讨了半导体器件在静电放电(ESD)环境下的性能表现。文章分析了不同材料和结构对器件抗静电能力的影响,提出了优化设计方法以提高器件的可靠性。该研究对提升半导体产品的稳定性与寿命具有重要参考价值。 文档为pdf格式,0.08MB,总共2页。
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