包含键环境修正的半导体锗的紧束缚势模型 - 第5届海内外中华青年材料科学技术研讨会暨第13届全国青年材料科学技术研讨会.pdf

该论文提出了一种包含键环境修正的紧束缚势模型，用于描述半导体锗的电子结构。通过引入键环境修正项，模型更准确地反映了锗晶体中原子间的相互作用和能带特性。研究为理解锗材料的物理性质提供了理论依据，对新型半导体器件的设计具有重要意义。

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2025-12-14 02:28 上传 包含键环境修正的半导体锗的紧束缚势模型 - 第5届海内外中华青年材料科学技术研讨会暨第13届全国青年材料科学技术研讨会.pdf

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