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论文《利用多孔氧化铝模板生长锗纳米点研究》介绍了通过多孔氧化铝模板技术在基底上生长锗纳米点的方法。该研究旨在探索一种高效、可控的纳米结构制备工艺，以提高光电子器件性能。实验中采用阳极氧化法制备多孔氧化铝模板，并通过化学气相沉积法在模板孔洞中生长锗纳米点。结果表明，该方法能够有效控制纳米点的尺寸和分布，为硅基光电子器件的集成提供了新思路。 ","role":"assistant文档为pdf格式，0.54MB，总共3页。
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- 利用多孔氧化铝模板生长锗纳米点研究 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会.pdf ...
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