一种高亮度GaN基LED芯片光电特性研究 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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论文《一种高亮度GaN基LED芯片光电特性研究》探讨了GaN基LED芯片在高亮度下的光电性能。通过优化材料生长和结构设计,提升了器件的发光效率与稳定性。研究结果表明,改进后的LED芯片在电流密度和光输出功率方面均有显著提升,为高亮度LED的发展提供了理论支持和技术参考。

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一种高亮度GaN基LED芯片光电特性研究 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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