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论文《一种新型高压平面栅型IGBT的结构与制造》介绍了新型高压平面栅型IGBT的结构设计与制造工艺。该IGBT通过优化栅极结构和掺杂分布，有效提升了器件的耐压能力和导通性能。文章详细阐述了制造流程，并分析了其在功率半导体领域的应用前景，为高性能IGBT的发展提供了理论支持和技术参考。 文档为pdf格式，0.81MB，总共7页。
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- 一种新型高压平面栅型IGBT的结构与制造 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf ...
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