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《Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型》是第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议中的一项重要研究成果。该论文针对Si基Ge沟道pMOSFET器件的阈值电压特性进行了深入分析，提出了一个更为精确的阈值电压模型。通过考虑Ge沟道中的应变效应、界面态电荷以及载流子迁移率变化等因素，该模型能够更准确地描述器件在不同工作条件下的电学行为。研究结果对提升SiGe基CMOS器件的设计精度和性能优化具有重要意义，为未来高性能、低功耗集成电路的发展提供了理论支持。 文档为pdf格式，0.17MB，总共4页。
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