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本文介绍了AlN/GaN耦合双量子阱的子带波函数及在红外波段的子带跃迁特性。研究通过理论计算分析了量子阱结构中电子的能级分布和波函数形态，探讨了不同厚度和掺杂条件下对子带结构的影响。文章重点研究了红外波段内的光吸收特性，揭示了子带跃迁机制及其在光电探测和红外器件中的应用潜力。该工作为新型氮化物基红外探测器的设计提供了理论依据，对推动宽禁带半导体材料在光电子领域的应用具有重要意义。 ","role":"assistant文档为pdf格式，0.29MB，总共6页。
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- AlN_GaN耦合双量子阱子带波函数及红外波段子带跃迁 - 第十三届全国红外加热暨红外医学发展研讨会.pdf ...
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