|
《65 nm工艺大容量2W_8R高速SDP存储器的设计》是2011年第17届全国信息存储技术大会(IST 2011)上的一篇重要论文。该文介绍了基于65纳米工艺的高速SDP存储器设计，具有大容量、2W_8R的结构特点，适用于高性能存储应用。研究重点在于提升存储器的速度与稳定性，同时优化功耗和集成度。通过先进的工艺技术和电路设计方法，实现了较高的数据访问速度和可靠性。该成果为后续存储器的发展提供了理论支持和技术参考，对推动我国存储技术的进步具有重要意义。 文档为pdf格式，0.78MB，总共5页。
- 文件大小:
- 798.72 KB
- 下载次数:
- 60
- 65 nm工艺大容量2W_8R高速SDP存储器的设计 - 2011年第17届全国信息存储技术大会(IST 2011).pdf ...
-
高速下载
| 
