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《500V VDMOS终端保护结构设计研究》是2011年全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会上的一篇重要论文。该文围绕500V电压等级的VDMOS器件，深入探讨了其终端保护结构的设计方法与优化策略。研究重点分析了传统终端结构在高压下的电场分布问题，并提出了一种改进型终端结构，以提高器件的击穿电压和可靠性。通过仿真与实验验证，该结构有效改善了电场分布，降低了边缘击穿风险，为高耐压VDMOS器件的设计提供了理论依据和技术支持。 文档为pdf格式，0.75MB，总共5页。
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- 500V VDMOS终端保护结构设计研究 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf ...
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