3300V平面型FS IGBT器件仿真研究 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf

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《3300V平面型FS IGBT器件仿真研究 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》是一篇关于高电压IGBT器件仿真的研究论文。该文聚焦于3300V平面型FS IGBT的结构设计与性能优化,通过仿真手段分析其在不同工作条件下的电气特性与热行为。研究旨在提升IGBT的开关性能与可靠性,为高压电力电子应用提供理论支持和技术参考。该论文发表于2011年全国半导体器件产业发展研讨会上,反映了当时我国在功率半导体器件领域的技术进展与创新方向。

文档为pdf格式,0.12MB,总共3页。
3300V平面型FS IGBT器件仿真研究 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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