|
《2500V Planner NPT IGBT的设计》是2011年全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会的重要论文之一。该文详细介绍了2500V等级的Planar NPT（Non-Punch Through）型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的设计方法与技术特点。文章探讨了IGBT在高压应用中的性能优化，包括结构设计、材料选择及工艺流程等方面的内容。通过改进器件结构，提升了IGBT的导通损耗与开关特性，满足了高电压、大电流应用的需求。该研究对推动我国半导体器件的发展具有重要意义，也为后续IGBT技术的创新提供了理论支持。 文档为pdf格式，0.3MB，总共6页。
- 文件大小:
- 307.2 KB
- 下载次数:
- 60
- 2500V Planner NPT IGBT的设计 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf ...
-
高速下载
| 
