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《1700V Planar NPT IGBT的设计》是2011年全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会上的重要论文之一。该文详细介绍了1700伏平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管（Planar NPT IGBT）的设计原理与结构优化方法。文章探讨了IGBT在高压应用中的性能提升策略，包括器件的热稳定性、开关损耗及导通压降等方面的改进。通过对材料选择、结构设计和工艺优化的深入分析，作者提出了提高IGBT整体性能的有效方案。该研究对推动我国半导体器件产业的发展具有重要意义，为高电压功率电子器件的创新提供了理论支持和技术参考。 文档为pdf格式，0.26MB，总共5页。
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- 1700V Planar NPT IGBT的设计 - 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会.pdf ...
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