[冶金] GBT 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法

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硅多晶气氛区熔基磷检验方法
Polycrystallinesilicon.Examinationmethod.Zone-meltingonPhosphorusundercontrolledatmosphere

摘要:本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。本标准检测杂质浓度的有效范围：0.002×10～100×10。

标准编号：GB/T4059-2007
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2007年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2008年1月1日
关键词：硅,晶体缺陷,晶体检验,检验,磷,SILICONE,SILICON,CRYSTALDEFECTS,CRYSTALEXAMINATION,CHECKS,INSPECTION,EXAMINATIONS,PHOSPHORUS

GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法.pdf

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多晶, 气氛

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