GBT 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
Testmethodformeasuringsurfacesodium,aluminum,potassium,andirononsiliconandepisubstratesbysecondaryionmassspectrometry

摘要:1.1本标准规定了硅和外延片表面Na，Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na，Al、K和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量，因此该方法与各金属的化学和电学特性无关。1.2本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的硅片。1.3本标准特别适用于位于晶片表面约5nm深度内的表面金属沾污的测试。1.4本标准适用于面密度范围在(l0～10atoms/cm的Na、Al、K和Fe的测试。本方法的检测限取决于空白值或计数率极限，因仪器的不同而不同。1.5本测试方法是对以下测试方法的补充:1.5.1全反射X射线荧光光谱仪(TXRF)，其能够检测表面的原子序数Z较高的金属，如Fe，但对Na，Al、K没有足够低的检测限（)。1.5.2对表面的金属进行气相分解(VPD)，然后用原子吸收光谱仪(AAS)或电感搞合等离子体质谱仪(ICP-MS)测试分解后的产物，金属的检测限为(10～10)atoms/cm。但是该方法不能提供空间分布信息，并且金属的气相分解预先浓缩与每种金属的化学特性有关。

标准编号：GB/T24575-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：硅,化学分析和试验,质谱学,半导体,SILICON,SILICONE,CHEMICALANALYSISANDTESTING,MASSSPECTROMETRY,SEMICONDUCTORMATERIALS

GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法.pdf

2024-9-22 22:10 上传 GBT 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法.pdf

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