GBT 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法

重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
TestmethodformeasuringBoroncontaminationinheavilydopedn-typesiliconsubstratesbysecondaryionmassspectrometry

摘要:1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度atoms/cm的硅材料中硼浓度的检测。特别适用于硼为非故意掺杂的p型杂质，且其浓度为痕量水平(atoms/cm)的硅材料的测试。1.3本标准适用于检测砌沾污浓度大于SIMS仪器检测限(根据仪器的型号不同，检测限大约在5×10atoms/cm～5×10atoms/cm)两倍的硅材料。1.4原则上，本标准对于不同表面情况的样品都适用，但是本标准中的精度估算值是从表面抛光样品的测试数据中得到的。

标准编号：GB/T24580-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：硅,化学分析和试验,半导体,含量测定,质谱学,SILICON,SILICONE,CHEMICALANALYSISANDTESTING,SEMICONDUCTORS,CONTENTDETERMINATION,CONTENTDETERMINATIONS,DETERMINATIONOFCONTENT,MASSSPECTROMETRY

GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法.pdf

2024-9-22 22:10 上传 GBT 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法.pdf

文件大小:

929.84 KB

下载次数:

60

高速下载