GBT 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
TestmethodforlowtemperatureFT-IRanalysisofsinglecrystalsiliconforⅢ-Ⅴimpurities

摘要:本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。

标准编号：GB/T24581-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：硅,化学分析和试验,半导体,含量测定,晶体,杂质,SILICON,SILICONE,CHEMICALANALYSISANDTESTING,SEMICONDUCTORS,CONTENTDETERMINATION,CONTENTDETERMINATIONS,DETERMINATIONOFCONTENT,CRYSTALS,IMPURITIES,IMPURITY

GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法.pdf

2024-9-22 22:10 上传 GBT 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法.pdf

文件大小:

829.79 KB

下载次数:

60

高速下载