[冶金] GBT 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

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admin 发表于 2024-9-22 22:06 | 查看全部阅读模式

硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
Practiceforshallowetchpitdetectiononsilicon

摘要:本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。本标准适用于检测或晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于0.001Ω·cm。

标准编号：GB/T26066-2010
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2011年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2011年1月1日
关键词：硅,晶体,晶体(电子),耐腐蚀性,检测,SILICON,SILICONE,CRYSTALS,CRYSTALS(ELECTRONIC),CORROSIONRESISTANCE,DETECTION

GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法.pdf

2024-9-22 22:06 上传

GBT 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法.pdf

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晶片, 腐蚀, 检测, 测试, 方法

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