[冶金] GBT 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度EPD的测量方法

15 0

admin 发表于 2024-9-22 21:52 | 查看全部阅读模式

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
Testmethodformeasuringetchpitdensity(EPD)inlowdislocationdensitymonocrystallinegermaniumslices

摘要:本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm2、直径为75mm～150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。

标准编号：GB/T34481-2017
标准类型：GB
发布单位：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
发布日期：2017年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2018年1月1日
关键词：

GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法.pdf

2024-9-22 21:52 上传

GBT 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度EPD的测量方法.pdf

文件大小:: 618.25 KB

下载次数:: 60

高速下载

密度, 低位, 腐蚀, 测量方法

【温馨提示】您好！以下是下载说明，请您仔细阅读：
1、推荐使用360安全浏览器访问本站，选择您所需的PDF文档，点击页面下方“本地下载”按钮。
2、耐心等待两秒钟，系统将自动开始下载，本站文件均为高速下载。
3、下载完成后，请查看您浏览器的下载文件夹，找到对应的PDF文件。
4、使用PDF阅读器打开文档，开始阅读学习。
5、使用过程中遇到问题，请联系QQ客服。

本站提供的所有PDF文档、软件、资料等均为网友上传或网络收集，仅供学习和研究使用，不得用于任何商业用途。
本站尊重知识产权，若本站内容侵犯了您的权益，请及时通知我们，我们将尽快予以删除。

[冶金] GBT 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度EPD的测量方法

相关帖子

能源电力

化工

建筑工程

机械

电子信息

医药

科学