文档名：不同遮挡情况下半片组件及二极管的分析研究
摘要：以半片组件为研究对象,对不同遮挡情况下的二极管状态进行分析,过程中采用了测试二极管两端电压、组件发热IR分析、组件接入固定负载下功率分析、不同遮挡下功率测试等多种测试方式.研究表明,在半片组件中,当单个支路中遮挡面积不足1个半片时,二极管未启动,为反向偏置,导致被遮挡电池片出现不同位置的热斑;当单个支路中遮挡1个半片电池片时,电池片不发热,此时二极管已启动,为正向偏置,与之相并联的支路被短路,无功率输出;当单个支路中遮挡达3个半片电池片时,支路处于断路状态,二极管仍然为反向偏置,与之相并联的支路正常工作,功率正常输出.该分析有助于半片组件实际应用中更好避免热斑的产生,对不同遮挡下发电量的分析有很大帮助.
作者：吴兢 杨振威 杜欢 赵兴国 Author：WUJing YANGZhenwei DUHuan ZHAOXingguo
作者单位：江苏辉伦太阳能科技有限公司国机新能源研究院,江苏南京210061江苏辉伦太阳能科技有限公司国机新能源研究院,江苏南京210061;江苏苏美达能源控股有限公司,江苏南京210061
刊名：电源技术 ISTICPKU
Journal：ChineseJournalofPowerSources
年，卷(期)：2023, 47(11)
分类号：TM914
关键词：半片组件 二极管 正向偏置 反向偏置 热斑
Keywords：half-cutmodule diode forwardbiased reversebiased hotspot
机标分类号：TM914.4TU391TM315
在线出版日期：2023年12月5日
基金项目：不同遮挡情况下半片组件及二极管的分析研究[
期刊论文] 电源技术--2023, 47(11)吴兢 杨振威 杜欢 赵兴国以半片组件为研究对象,对不同遮挡情况下的二极管状态进行分析,过程中采用了测试二极管两端电压、组件发热IR分析、组件接入固定负载下功率分析、不同遮挡下功率测试等多种测试方式.研究表明,在半片组件中,当单个支路中遮挡...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文
不同遮挡情况下半片组件及二极管的分析研究 Analysis and research of half-cut modules and diodes under different shading conditions
不同遮挡情况下半片组件及二极管的分析研究.pdf
- 文件大小:
- 1.42 MB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
