文档名：高截止频率肖特基二极管仿真模型研究
摘要：基于表面沟道型平面肖特基势垒二极管基本结构,采用GaAs0.15μm伪高电子迁移率晶体管(pseudomorphichighelectronmobilitytransistors,pHEMT)工艺制程,提出了一种垂直沟道长跨度空气桥的肖特基二极管模型.研究了不同阳极直径对肖特基二极管级联电阻的影响,对比分析了不同焊盘间距下肖特基二极管模型的S参数仿真结果,得到最优空气桥长度;仿真了最优焊盘间距下二极管肖特基结的TCAD模型,根据仿真得到的特性曲线提取肖特基二极管的SPICE参数.经实验测试,该二极管具有极低的零偏置结电容,截止频率高达9THz,仿真结果与实测结果吻合度较高,可用于太赫兹频段上.
Abstract：BasedonthebasicstructureofsurfacechannelplanarSchottkybarrierdiode,andadoptGaAs0.15μmpHEMTprocess,aSchottkydiodemodeloftheverticalchannelextendedspanairbridgeisproposed.TheinfluenceofdifferentanodediametersontheSchottkydiodecascaderesistanceisstudied.ThesimulationresultsofSparametersofSchottkydiodemodelswithdifferentpadspacingarecomparedandanalyzed.Theoptimalairbridgelengthisobtained.TheTCADmodelofdiodeSchottkyjunctionwithoptimalpadspacingissimulated.TheSPICEparametersofSchottkydiodeareextractedaccordingtothesimulationcharacteristiccurve.Theexperimentalresultsshowthatthediodehasanextremelylowzerobiasjunctioncapacitance,andthecut-offfrequencyisupto9THz.Thesimulationresultsagreewellwiththemeasuredresults,andcanbeusedintheterahertzband.
作者：余蒋平 李少甫 唐颖颖Author：YUJiangping LIShaofu TANGYingying
作者单位：西南科技大学信息工程学院,绵阳621010
刊名：电波科学学报 ISTICPKU
Journal：ChineseJournalofRadioScience
年，卷(期)：2023, 38(6)
分类号：TN773.2
关键词：太赫兹 肖特基二极管 GaAs 垂直沟道 截止频率
Keywords：terahertz Schottkydiode Galliumarsenide(GaAs) verticalchannel cut-offfrequency
机标分类号：TN386TN771TP391.9
在线出版日期：2024年2月23日
基金项目：国家自然科学基金高截止频率肖特基二极管仿真模型研究[
期刊论文] 电波科学学报--2023, 38(6)余蒋平 李少甫 唐颖颖基于表面沟道型平面肖特基势垒二极管基本结构,采用GaAs0.15μm伪高电子迁移率晶体管(pseudomorphichighelectronmobilitytransistors,pHEMT)工艺制程,提出了一种垂直沟道长跨度空气桥的肖特基二极管模型.研究了不...参考文献和引证文献
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