文档名：工艺电压温度综合稳健的亚1V 10位SAR ADC
摘要：采用0.11-μmCMOS工艺设计了一款10位亚1V工艺-电压-温度(Process-Voltage-Temperature,PVT)综合稳健的逐次逼近寄存器型(Successive-Approximation-Register,SAR)模数转换器(Analog-to-DigitalConverter,ADC)IP核.由于SARADC数字化程度较高,为了降低整体功耗,采用小于标准电压的亚1V供电.然而,对于异步SARADC,在低压下面临严峻的PVT不稳健问题,传统采用固定延迟电路的方式无法应对所有的PVT偏差,会导致ADC良率下降.提出一种用于异步SARADC的可配置延迟调控技术,采用3输入译码器调节延迟电路的电流,以满足ADC在多种PVT组合下所需的延时,在TT,SS,FF,SF,FS这5种工艺角,0.9～1V供电范围和-40～85℃的温度范围下,均取得了良好的动态特性.在0.95V供电,采样速率为200kS/s时,总功耗为2.24μW,FoM值仅为16.46fJ/Conv.-step.
作者：张畅 佟星元Author：ZHANGChang TONGXing-yuan
作者单位：西安邮电大学陕西省通信专用集成电路设计工程技术研究中心,陕西西安710121
刊名：电子学报 ISTICEIPKU
Journal：ActaElectronicaSinica
年，卷(期)：2023, 51(8)
分类号：TN432
关键词：模数转换器(ADC) 逐次逼近寄存器(SAR) 工艺-电压-温度(PVT) 低压 低功耗
Keywords：analog-to-digitalconverter(ADC) successive-approximation-register(SAR) process-voltage-tempera-ture(PVT) lowvoltage lowpower
机标分类号：TN792TP31TN495
在线出版日期：2023年11月23日
基金项目：工艺-电压-温度综合稳健的亚1V10位SARADC[
期刊论文] 电子学报--2023, 51(8)张畅 佟星元采用0.11-μmCMOS工艺设计了一款10位亚1V工艺-电压-温度(Process-Voltage-Temperature,PVT)综合稳健的逐次逼近寄存器型(Successive-Approximation-Register,SAR)模数转换器(Analog-to-DigitalConverter,ADC)IP核.由...参考文献和引证文献
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