文档名：功率对直流磁控溅射氧化钒薄膜电学性能的影响
摘要：采用直流磁控溅射方法在长有300nm厚的Si3N4薄膜的Si(100)晶圆上制备了氧化钒薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和探针法分析了不同功率对薄膜结晶结构、成分、表面形貌和电学性能的影响.结果表明:不同功率沉积的氧化钒薄膜均为非晶结构,薄膜主要成分为VO2和V2O5;随着功率的提高,薄膜的平均粗糙度降低,V2O5的含量升高,进而导致电阻温度系数绝对值也随之增大.
作者：李兆营Author：LiZhaoying
作者单位：安徽光智科技有限公司,安徽滁州239000
刊名：电镀与精饰 ISTICPKU
Journal：Plating&Finishing
年，卷(期)：2023, 45(4)
分类号：TN305.92
关键词：氧化钒薄膜 功率 直流磁控溅射 电阻温度系数
机标分类号：O484O6TB383
在线出版日期：2023年4月25日
基金项目：功率对直流磁控溅射氧化钒薄膜电学性能的影响[
期刊论文] 电镀与精饰--2023, 45(4)李兆营采用直流磁控溅射方法在长有300nm厚的Si3N4薄膜的Si(100)晶圆上制备了氧化钒薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和探针法分析了不同功率对薄膜结晶结构、成分、表面形貌和电学性能的影响...参考文献和引证文献
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引证文献
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