含丙二醇的复合有机抑制剂应用于TSV镀铜工艺的研究

文档名：含丙二醇的复合有机抑制剂应用于TSV镀铜工艺的研究
摘要：[目的]硅通孔(TSV)电镀铜填充一般采用PEG(聚乙二醇)类有机化合物抑制剂,但往往存在电镀时间长、易产生空洞、面铜较厚、退火后晶界间缺陷多等问题.[方法]开发了一种新型含丙二醇的复合有机抑制剂,研究了采用它时的TSV填充模式,退火后孔内镀层的结晶状态,以及镀层的杂质含量.[结果]该抑制剂对TSV的填充效果明显优于传统抑制剂,与小分子含硫化合物加速剂复配使用时可实现"自下而上"的均匀填充,且面铜平整,无微孔、气泡等缺陷存在.[结论]该复合有机抑制剂具有很好的工业化应用潜力.

作者：史筱超  于仙仙  王溯Author：SHIXiaochao  YUXianxian  WANGSu
作者单位：上海市集成电路关键工艺材料重点实验室,上海201616;上海新阳半导体材料股份有限公司,上海201616
刊名：电镀与涂饰
Journal：Electroplating&Finishing
年，卷(期)：2024, 43(1)
分类号：TQ153.1+4
关键词：硅通孔  电镀铜  丙二醇  有机抑制剂  自下而上填充  
Keywords：through-siliconvia  copperelectroplating  propyleneglycol  organicinhibitor  bottom-upfilling  
机标分类号：TQ153.14R284.2TQ453
在线出版日期：2024年3月1日
基金项目：含丙二醇的复合有机抑制剂应用于TSV镀铜工艺的研究[
期刊论文]  电镀与涂饰--2024, 43(1)史筱超  于仙仙  王溯[目的]硅通孔(TSV)电镀铜填充一般采用PEG(聚乙二醇)类有机化合物抑制剂,但往往存在电镀时间长、易产生空洞、面铜较厚、退火后晶界间缺陷多等问题.[方法]开发了一种新型含丙二醇的复合有机抑制剂,研究了采用它时的TSV填充...参考文献和引证文献
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