文档名：环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述
摘要：环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应.与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要SiGe选择性刻蚀技术.工艺要求SiGe作为牺牲层被选择性刻蚀去除,且尽可能减少对Si沟道的损伤.本文对环栅晶体管制备工艺中所需的SiGe选择性刻蚀技术进行了综述,主要分析了器件结构的发展趋势及SiGe选择性刻蚀的应用,并分类综述了常规SiGe选择性刻蚀方法以及新型选择性刻蚀技术的发展历程,分析了各种技术的优点和不足.最后对SiGe选择性刻蚀技术面临的挑战进行了分析,并对其未来可能的发展趋势进行了展望.
Abstract：Gate-all-around(GAA)transistorsarethemostcompetitivedevicestructuretoreplaceexistingfinfieldeffecttransistors(FinFET)belowthesub-3nmnode,effectivelyimprovetheshort-channeleffectcausedbythecontinuousshrinkingofdevicesizealongMoore'sLaw.IntheprocessflowofGAAdevicepreparation,innerspacerpreparationandchannelreleasearenewlyintroducedprocessmodulesrelativetoFinFET,andbothrequireSiGeselectiveetchingtechnology.SiGeisrequiredtoberemovedasasacrificiallayerbyselectiveetchingwithaslittledamageaspossibletotheSichannel.ThispaperpresentsareviewoftheSiGeselectiveetchingtechniquesrequiredinthegate-all-around(GAA)transistorfabricationprocess.Firstly,weanalyzethedevelopmenttrendofdevicestructureandtheapplicationofSiGeselectiveetching.Secondly,thedevelopmentofconventionalSiGeselectiveetchingmethodsandnewselectiveetchingtechniquesarecategorizedandreviewed.Afterthattheadvantagesandshortcomingsofeachtechniquearesummarized.Finally,thisstudyanalyzesthechallengesfacedbySiGeselectiveetchingtechnology,andprospectsthepossiblefuturedevelopmenttrends.
作者：刘恩序 李俊杰 刘阳 杨超然 周娜 李俊峰 罗军 王文武 Author：LIUEnxu LIJunjie LIUYang YANGChaoran ZHOUNa LIJunfeng LUOJun WANGWenwu
作者单位：中国科学院微电子研究所,北京100029;中国科学院大学集成电路学院,北京100049中国科学院微电子研究所,北京100029
刊名：材料导报 ISTICEIPKU
Journal：MaterialsReports
年，卷(期)：2024, 38(9)
分类号：TN305.7
关键词：锗硅 选择性刻蚀 环栅 内侧墙 沟道释放 纳米线 纳米片
Keywords：SiGe selectiveetching gate-all-around innerspacer channelrelease nanosheet nanowire
机标分类号：TN386TP391TN432
在线出版日期：2024年6月28日
基金项目：环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述[
期刊论文] 材料导报--2024, 38(9)刘恩序 李俊杰 刘阳 杨超然 周娜 李俊峰 罗军 王文武环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应.与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的...参考文献和引证文献
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