基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法

文档名：基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法
摘要：针对现有级联型多电平变换器器件多、损耗大、功率密度低等问题,该文提出一种基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器(HCMC)拓扑结构.HCMC由全SiIGBT器件的中性点钳位(NPC)型三电平单元与由SiIGBT、SiCMOSFET器件混合的级联H桥(CHB)单元串联构成.针对此拓扑提出一种特定的高低频混合调制策略,充分发挥SiCMOSFET开关损耗低、SiIGBT通态损耗低的优势,并对NPC单元直流侧电压和CHB单元子模块数进行优化设计.此外,为解决子模块电容电压不平衡问题,提出一种轮换均压控制策略.最后,在6kV系统无功补偿工况下进行仿真和实验,验证了HCMC拓扑结构和调制策略的可行性,并将HCMC和现有级联型多电平变换器进行综合对比,证明了所提拓扑在保证输出性能的条件下大大降低了运行损耗.

作者：任鹏  涂春鸣  侯玉超  郭祺  王鑫Author：RenPeng  TuChunming  HouYuchao  GuoQi  WangXin
作者单位：国家电能变换与控制工程技术研究中心(湖南大学)长沙410082
刊名：电工技术学报 ISTICEIPKU
Journal：TransactionsofChinaElectrotechnicalSociety
年，卷(期)：2023, 38(18)
分类号：TM464
关键词：混合多电平变换器  SiIGBT  SiCMOSFET  混合调制  电压平衡策略  
Keywords：Hybridmultilevelconverter  SiIGBT  SiCMOSFET  hybridmodulation  voltagebalancingstrategy  
机标分类号：TM464R758.63TM711
在线出版日期：2023年10月10日
基金项目：国家自然科学基金，湖南省科技领军人才计划项目基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法[
期刊论文]  电工技术学报--2023, 38(18)任鹏  涂春鸣  侯玉超  郭祺  王鑫针对现有级联型多电平变换器器件多、损耗大、功率密度低等问题,该文提出一种基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器(HCMC)拓扑结构.HCMC由全SiIGBT器件的中性点钳位(NPC)型三电平单元与由SiIGBT、SiCMOSFET器件混合...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文

        基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法  Research on a Hybrid Cascaded Multilevel Converter Based on Si and SiC Device and Its Control Optimization Method

基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法.pdf

2024-12-14 12:34 上传 基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法.pdf

文件大小:

3.43 MB

下载次数:

60

高速下载