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基于列共用多采样技术的CMOS图像传感器读出电路设计

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admin 发表于 2024-12-14 11:19 | 查看全部 阅读模式

文档名:基于列共用多采样技术的CMOS图像传感器读出电路设计
摘要:针对CMOS图像传感器中相关多采样(CorrelatedMultipleSampling,CMS)技术在抑制噪声的同时使读出速度受影响的问题,设计了低噪声读出电路.读出电路采用列共用多采样技术,能够在不影响读出速度的情况下,抑制时域噪声和列固定模式噪声(FixedPatternNoise,FPN),改善CMOS图像传感器的成像质量.列共用多采样技术采用开关控制读出电路和像素的连接关系,以多列共用的读出电路对像素依次进行时序错开时间缩短的多次采样,完成所有像素量化的总时间保持不变.基于列共用多采样技术读出电路的降噪效果在110nm的CMOS工艺下进行了仿真和验证.随着采样数M从1到4变化,读出时间没有增长,瞬态噪声仿真得到整个读出链路的输入参考噪声从123.8μV降低到60.6μV;加入列FPN进行仿真,输入参考失调电压由138μV降低到69μV.

作者:王得剑  高静  聂凯明Author:WANGDejian  GAOJing  NIEKaiming
作者单位:天津大学微电子学院,天津300072;天津市成像与感知微电子技术重点实验室,天津300072
刊名:传感技术学报 ISTICPKU
Journal:ChineseJournalofSensorsandActuators
年,卷(期):2023, 36(4)
分类号:TP212TN432
关键词:低噪声CMOS图像传感器  低噪声读出电路  列共用多采样  单斜模数转换器  时域噪声  列固定模式噪声  
机标分类号:TN702TN215TN403
在线出版日期:2023年6月9日
基金项目:国家重点研发计划基于列共用多采样技术的CMOS图像传感器读出电路设计[
期刊论文]  传感技术学报--2023, 36(4)王得剑  高静  聂凯明针对CMOS图像传感器中相关多采样(CorrelatedMultipleSampling,CMS)技术在抑制噪声的同时使读出速度受影响的问题,设计了低噪声读出电路.读出电路采用列共用多采样技术,能够在不影响读出速度的情况下,抑制时域噪声和列...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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基于列共用多采样技术的CMOS图像传感器读出电路设计.pdf
2024-12-14 11:19 上传
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