结构参数对各向异性磁电阻AMR磁场传感器性能的影响

文档名：结构参数对各向异性磁电阻AMR磁场传感器性能的影响
摘要：采用磁控溅射工艺制备NiFe合金薄膜,通过电子束蒸发制备Barber电极,获得了各向异性磁电阻(AMR)线性磁场传感器.通过材料芯片技术,系统研究了图形化的NiFe薄膜宽度、厚度以及Barber电极角度、间距等因素对传感器性能的影响.测试结果表明,在设计的工艺条件下,NiFe薄膜宽度为36μm、厚度为28nm、Barber电极角度为40°以及电极间距为10μm时,该磁场传感器在磁场范围为±5G内灵敏度最大,达到1.17mV/(V·G).研究工作为进一步发展基于AMR效应的角度及磁场传感器芯片提供参考.

作者：王华昌   罗科   李秀霞   余涛   孙成   冯伟   张文旭 Author：WANGHua-chang   LUOKe   LIXiu-xia   YUTao   SUNCheng   FENGWei   ZHANGWen-xu
作者单位：四川永星电子有限公司,四川成都610500贵州雅光电子股份有限公司,贵州贵阳550016电子科技大学电子科学与工程学院,四川成都610054
刊名：磁性材料及器件
Journal：JournalofMagneticMaterialsandDevices
年，卷(期)：2023, 54(3)
分类号：TP212
关键词：AMR磁场传感器  NiFe薄膜  Baber电极  输出电压  灵敏度  
机标分类号：TP212TH703.27O482.51
在线出版日期：2023年6月28日
基金项目：结构参数对各向异性磁电阻(AMR)磁场传感器性能的影响[
期刊论文]  磁性材料及器件--2023, 54(3)王华昌  罗科  李秀霞  余涛  孙成  冯伟  张文旭采用磁控溅射工艺制备NiFe合金薄膜,通过电子束蒸发制备Barber电极,获得了各向异性磁电阻(AMR)线性磁场传感器.通过材料芯片技术,系统研究了图形化的NiFe薄膜宽度、厚度以及Barber电极角度、间距等因素对传感器性能的影响...参考文献和引证文献
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2024-12-14 04:05 上传 结构参数对各向异性磁电阻AMR磁场传感器性能的影响.pdf

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