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金凸点芯片倒装键合的失效分析方法

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admin 发表于 2024-12-14 04:02 | 查看全部 阅读模式

文档名:金凸点芯片倒装键合的失效分析方法
摘要:给出了倒装芯片金凸点倒装键合失效的主要界面形式.以制备的直径为60±5μm金凸点的Si芯片-GaAs芯片形式的倒装芯片作为研究样品,试验了业界常用的无损检测技术以及破坏性检测技术对倒装芯片堆叠界面的观测效果.其中工业CT、制样研磨的方式可较好地观测堆叠失效界面的细节信息.最后给出了倒装芯片失效分析的定位思路,并采用失效芯片进行了验证,对倒装芯片的失效分析有一定的指导意义.

Abstract:Themainformsofgoldbumpflip-flopbondingfailureinflipchiparegiven.Flip-chipsintheformofSichip-GaAschipwith60±5μmdiametergoldbumpsarepreparedasresearchsamples,thentheobservationofflip-chipstackedinterfacesbyNDTanddestructivetestingtechniquescommonlyusedintheindustryisexperimented.IndustrialCT,samplepreparationandgrindingcanbeusedtobetterobservethedetailsofthestackfailureinterface.Finally,thelocalizationideaofflipchipfailureanalysisisgivenandverifiedusingafailedchip,whichisaguidetothefailureanalysisofflipchip.

作者:柳溪溪  冀乃一  邢增程Author:LIUXixi  JINaiyi  XINGZengcheng
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050000
刊名:电子工艺技术
Journal:ElectronicsProcessTechnology
年,卷(期):2024, 45(3)
分类号:TN406
关键词:金凸点  倒装键合  无损检测  失效分析  
Keywords:goldbump  flipbonding  non-destructivetesting  failureanalysis  
机标分类号:TN312.8TN60TB3
在线出版日期:2024年7月8日
基金项目:金凸点芯片倒装键合的失效分析方法[
期刊论文]  电子工艺技术--2024, 45(3)柳溪溪  冀乃一  邢增程给出了倒装芯片金凸点倒装键合失效的主要界面形式.以制备的直径为60±5μm金凸点的Si芯片-GaAs芯片形式的倒装芯片作为研究样品,试验了业界常用的无损检测技术以及破坏性检测技术对倒装芯片堆叠界面的观测效果.其中工业C...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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金凸点芯片倒装键合的失效分析方法.pdf
2024-12-14 04:02 上传
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