文档名：绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术
摘要：利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集成的工艺流程和器件类型;接着,总结了高压横向IGBT器件技术、续流二极管器件技术、LDMOS器件技术的特征和效果;此外,还讨论了单片智能功率芯片的相关可靠性问题,包括高压互连线效应和低温雪崩不稳定.本课题组在功率半导体集成型器件的电流能力、关断速度、短路承受能力、反向恢复峰值电流、安全工作区、高压互连线屏蔽、低温可靠性等关键特性优化或可靠性提升方面进行了自主创新,构建了基于绝缘体上硅的功率半导体单芯片集成技术,并成功研制了单片智能功率芯片.
作者：张龙 刘斯扬 孙伟锋 马杰 盘成务 何乃龙 张森 苏巍 Author：ZHANGLong LIUSi-yang SUNWei-feng MAJie PANCheng-wu HENai-long ZHANGSen SUWei
作者单位：东南大学国家ASIC工程研究中心,江苏南京210096华润上华科技有限公司,江苏无锡214061
刊名：电子学报 ISTICEIPKU
Journal：ActaElectronicaSinica
年，卷(期)：2023, 51(2)
分类号：TN433TN305
关键词：功率半导体 绝缘体上硅 单片集成 功率集成电路 功率器件
机标分类号：TN386TN402TM402
在线出版日期：2023年5月8日
基金项目：国家自然科学基金，国家自然科学基金，江苏省科技成果项目，江苏省科技成果项目绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术[
期刊论文] 电子学报--2023, 51(2)张龙 刘斯扬 孙伟锋 马杰 盘成务 何乃龙 张森 苏巍利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半...参考文献和引证文献
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