文档名：抛光液组分对钽晶圆化学机械抛光的影响
摘要：为提高钽晶圆化学机械抛光(CMP)后的表面品质,通过电化学测试和化学机械抛光实验探究了纳米硅溶胶粒径、螯合剂种类(甘氨酸和乙二胺四乙酸二钠)及其质量分数,以及氧化剂(过氧化氢)质量分数对钽晶圆抛光过程的电化学行为、抛光速率及抛光后表面品质的影响.结果表明,采用40%(质量分数)平均粒径为50nm的纳米硅溶胶为磨料,1.0%(质量分数)乙二胺四乙酸二钠为螯合剂,以及1%(质量分数)H2O2为氧化剂时,钽晶圆的抛光速率为71nm/min,经CMP后的钽晶圆表面良好,无"橘皮"、划伤等现象.
作者：钟荣峰 肖银波 李薇薇 孙运乾 许宁徽 王晓剑 Author：ZHONGRongfeng XIAOYinbo LIWeiwei SUNYunqian XUNinghui WANGXiaojian
作者单位：广东惠尔特纳米科技有限公司,广东东莞523000河北工业大学电子信息工程学院,天津300401
刊名：电镀与涂饰 ISTICPKU
Journal：Electroplating&Finishing
年，卷(期)：2023, 42(15)
分类号：TG175
关键词：钽晶圆 化学机械抛光 电化学测试 磨料 螯合剂 氧化剂
Keywords：tantalumwafer chemicalmechanicalpolishing electrochemicaltest abrasive chelatingagent oxidant
机标分类号：
在线出版日期：2023年9月6日
基金项目：抛光液组分对钽晶圆化学机械抛光的影响[
期刊论文] 电镀与涂饰--2023, 42(15)钟荣峰 肖银波 李薇薇 孙运乾 许宁徽 王晓剑为提高钽晶圆化学机械抛光(CMP)后的表面品质,通过电化学测试和化学机械抛光实验探究了纳米硅溶胶粒径、螯合剂种类(甘氨酸和乙二胺四乙酸二钠)及其质量分数,以及氧化剂(过氧化氢)质量分数对钽晶圆抛光过程的电化学行为、...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文
抛光液组分对钽晶圆化学机械抛光的影响 Effects of components in slurry on chemical mechanical polishing of tantalum wafer
抛光液组分对钽晶圆化学机械抛光的影响.pdf
- 文件大小:
- 1.15 MB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
