文档名：可控转移二维GaSe制备高性能光电探测器
摘要：采用机械剥离法制备二维GaSe纳米材料.光致发光光谱和拉曼光谱证明二维GaSe具有直接带隙,禁带宽度约为2.0eV,具有较好的结晶质量.通过可控转移技术将二维GaSe放置于两个金属电极上,制成结构简单的光电探测器.光电探测器拥有较快的响应速度(约300ms)和较高的开关比(约32).在450nm波长光照射时,光电探测器的响应度可达144.6mA/W,外量子效率为39.9％.光电探测器对300nm紫外光展示了最高的响应能力,响应度为677.2mA/W,外量子效率为271.2％.缩短两电极间距能有效提升光电探测器的响应度和开关比.上述结果说明,将二维GaSe可控转移到电极上制成光电探测器的工艺流程是可行的,适用于制作高性能二维材料基光电探测器.
Abstract：2DGaSenanomaterialswerefabricatedbythemechanicalexfoliationmethod.Thephotolumines-cenceandRamanspectrashowthatthe2DGaSehasadirectbandgapof2.0eVandgoodcrystalquality.The2DGaSewasplacedontwometalelectrodestomakethephotodetectorwithasimplestructureviathecontrol-labletransfer.Thedeviceshowsafastresponseof300msandahighon-offratioof32.Undertheillumina-tionof450nmlight,theresponsivityandexternalquantumefficiencyofthephotodetectorare144.6mA/Wand39.9％respectively.Thephotodetectorhasthehighestresponsivityandexternalquantumefficiencyof677.2mA/Wand271.2％respectivelyat300nmUVlight.Reducingthespacingbetweenthetwoelectrodescaneffectivelyimprovetheresponsivityandon-offratioofthephotodetector.Theaboveresultsindicatethattheprocessoftransferringthe2DGaSecontrollablyontotheelectrodestofabricatephotodetectorsisfeasibleandsuitableforthefabricationofhigh-performance2Dmaterial-basedphotodetectors.
作者：梁瑶 徐基源 温阳 唐晓秋 武素梅Author：LIANGYao XUJiyuan WENYang TANGXiaoqiu WUSumei
作者单位：大连交通大学材料科学与工程学院,辽宁大连116028
刊名：大连交通大学学报 ISTIC
Journal：JournalofDalianJiaotongUniversity
年，卷(期)：2023, 44(6)
分类号：
关键词：二维材料 GaSe 光电探测器
Keywords：two-dimensionalmaterial GaSe photodetector
机标分类号：TN312.8TB383O482.31
在线出版日期：2024年2月23日
基金项目：辽宁省教育厅科学研究计划项目可控转移二维GaSe制备高性能光电探测器[
期刊论文] 大连交通大学学报--2023, 44(6)梁瑶 徐基源 温阳 唐晓秋 武素梅采用机械剥离法制备二维GaSe纳米材料.光致发光光谱和拉曼光谱证明二维GaSe具有直接带隙,禁带宽度约为2.0eV,具有较好的结晶质量.通过可控转移技术将二维GaSe放置于两个金属电极上,制成结构简单的光电探测器.光电探测器...参考文献和引证文献
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