文档名：射频磁控溅射制备的FeN薄膜结构与磁性能
摘要：采用射频磁控溅射方法在单晶Si(100)基底上制备了一系列FeN薄膜样品,研究了N2与Ar流量比、溅射电流、溅射压强、退火等工艺条件对FeN薄膜结构和磁性能的影响.研究表明,FeN薄膜结构与磁性能与溅射工艺参数密切相关,在气压为0.45Pa、总流量为100sccm的情况下,随着N2与Ar流量比的增大,材料软磁性能变弱,矫顽力从24.5Oe增大到104Oe,并且面内磁各向异性减弱.在其他条件不变,增大溅射电流时薄膜材料厚度增加,且矫顽力也明显增大,表现出明显的旋转各向异性.对于在430℃×5h真空退火、总流量为20sccm、对应不同N2流量比的FeN薄膜,随着N2含量的增加,材料中Fe2N和Fe3N的增多,甚至在某些N2流量比下薄膜呈非磁性.在Ar气和N2流量比为19:1时制备出γ′-Fe4N相结构的多晶薄膜.
作者：李晓宇 李天明 蒋运石 闫欢 张芦 张志红 王梦佳 何朝雄 Author：LIXiao-yu LITian-ming JIANGYun-shi YANHuan ZHANGLu ZHANGZhi-hong WANGMeng-jia HEChao-xiong
作者单位：中国电子科技集团公司第九研究所,四川绵阳621000;电子科技大学电子科学与工程学院,四川成都610054电子科技大学电子科学与工程学院,四川成都610054中国电子科技集团公司第九研究所,四川绵阳621000
刊名：磁性材料及器件 ISTICPKU
Journal：JournalofMagneticMaterialsandDevices
年，卷(期)：2023, 54(1)
分类号：TM271+.2
关键词：FeN薄膜 射频磁控溅射 工艺参数 结构 磁性能
机标分类号：O484TG146.22TM277
在线出版日期：2023年5月5日
基金项目：四川省科技计划资助项目，四川省科技计划资助项目，四川省人力资源和社会保障厅博士后科研项目射频磁控溅射制备的FeN薄膜结构与磁性能[
期刊论文] 磁性材料及器件--2023, 54(1)李晓宇 李天明 蒋运石 闫欢 张芦 张志红 王梦佳 何朝雄采用射频磁控溅射方法在单晶Si(100)基底上制备了一系列FeN薄膜样品,研究了N2与Ar流量比、溅射电流、溅射压强、退火等工艺条件对FeN薄膜结构和磁性能的影响.研究表明,FeN薄膜结构与磁性能与溅射工艺参数密切相关,在气压为...参考文献和引证文献
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