文档名：手机快充智能防护方案
摘要：随着手机和其他便携式电子产品的快速发展,快充技术逐渐成为主流.因此充电端口的过温、浪涌防护越来越受到重视.传统快充领域需要对浪涌事件与充电端口发热引发自燃的状况分别进行防护.提出一种快充端口防护方案,采用双向瞬态电压抑制器(transientvoltagesuppressor,TVS)和电阻组成自适应模块用于浪涌检测,利用过温防护(overtemperatureprotection,OTP)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor,MOSFET)作为浪涌泄放单元.当浪涌事件发生时,TVS被击穿,小电流流经串联的电阻并驱动OTPMOSFET泄放后续的大浪涌电流,对后续敏感集成电路(integratedcircuit,IC)起到保护作用.另外,OTPMOSFET还具有充电端口异常时防烧的功能.当温度过高时,微控制单元(microcontrollerunit,MCU)将驱动OTPMOSFET导通,将电压总线(voltagebus,Vbus)短接到地.足够大的短路电流将使适配器进行过流防护操作,以关闭充电电流,保护充电端口.
作者：王军 李佳豪 严林Author：
作者单位：上海电子线路智能保护工程技术研究中心,上海201202;上海维安电子股份有限公司,上海201202;上海科学院新型功率半导体研究中心,上海201202
刊名：电子产品世界
Journal：QutlookofElectronicTechnology
年，卷(期)：2024, 31(4)
分类号：TN40
关键词：浪涌 快充技术 OTPMOSFET
机标分类号：TS101.4TN929.11TN301
在线出版日期：2024年7月3日
基金项目：手机快充智能防护方案[
期刊论文] 电子产品世界--2024, 31(4)王军 李佳豪 严林随着手机和其他便携式电子产品的快速发展,快充技术逐渐成为主流.因此充电端口的过温、浪涌防护越来越受到重视.传统快充领域需要对浪涌事件与充电端口发热引发自燃的状况分别进行防护.提出一种快充端口防护方案,采用双向...参考文献和引证文献
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