文档名：梳齿结构深刻蚀工艺改进
摘要：梳齿型谐振式传感器对谐振器梳齿的形貌有很高的要求,需要梳齿侧壁很好的垂直度、粗糙度以及片间均匀性等.采用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺对具有深宽比较大的梳齿结构进行深刻蚀研究.影响深硅刻蚀的主要因素包括SF6和C4F8气体流量、腔室压力、刻蚀与钝化保护时间、下基板功率等工艺参数,着重研究了片间均匀性、垂直度、粗糙度等影响结构性能的几个方面,得到了宽4.5μm、深70μm的梳齿结构,垂直度为89.7°,侧壁粗糙度46nm,均匀性1.2%的优化工艺,为高精度MEMS梳齿型传感器的制作提供了基础.
Abstract：Comb-typeresonantsensorshavehighdemandsonthemorphologyoftheresonatorcombs,goodperpendicularity,roughnessandinterchipuniformityofthecombsidewallsarerequired.Inductivelycoupledplasma(ICP)deepsiliconetchingprocessisusedfordeepetchingresearchoncombstructurewithlargedepth-to-widthratio.ThemainfactorsaffectingdeepsiliconetchingincludeSF6andC4F8gasflow,chamberpressure,etchingandpassivationprotectiontime,lowersubstratepowerandotherprocessparameters,thisresearchfocusesonseveralaspectswhichaffectstructuralpropertiessuchasinter-sliceuniformity,perpendicularity,roughness,etc.Anoptimizedprocessbywhichacombstructurewithwidthof4.5μm,depthof70μm,andwithperpendicularityof89.7°,sidewallroughnessof46nmanduniformityof1.2%isobtained,whichprovidesthebasisforthefabricationofhigh-precisionMEMScomb-typesensors.
作者：杜广森 张富强 徐锡金 Author：DUGuangsen ZHANGFuqiang XUXijin
作者单位：济南大学物理学院,山东济南250055;山东产业技术研究院微纳与智能制造研究院,山东济南250101山东产业技术研究院微纳与智能制造研究院,山东济南250101;北京信息科技大学理学院,北京100192济南大学物理学院,山东济南250055
刊名：传感器与微系统
Journal：TransducerandMicrosystemTechnologies
年，卷(期)：2024, 43(2)
分类号：TP212
关键词：深刻蚀 刻蚀速率 均匀性 粗糙度
Keywords：deepetching etchingrate uniformity roughness
机标分类号：R914.5O621.3TN305.7
在线出版日期：2024年2月26日
基金项目：梳齿结构深刻蚀工艺改进[
期刊论文] 传感器与微系统--2024, 43(2)杜广森 张富强 徐锡金梳齿型谐振式传感器对谐振器梳齿的形貌有很高的要求,需要梳齿侧壁很好的垂直度、粗糙度以及片间均匀性等.采用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺对具有深宽比较大的梳齿结构进行深刻蚀研究.影响深硅刻蚀的主要因素包括...参考文献和引证文献
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