文档名：碳化硅表面镀镍速率研究
摘要：针对碳化硅基底深刻蚀过程中镍掩模的厚度会影响刻蚀效果,为解决电镀镍时电镀速率不同从而导致厚度无法保证的问题.采用COMSOLMultiphysics软件对阴极镀层厚度进行模拟的方法,研究了不同电导率对电镀速率的影响.通过对比相同条件下实际电镀速率来验证仿真的可靠性.结果表明:在50℃下,当电导率为15S/m时,阴极镀层速率为408.3nm/min;在相同条件下进行实验,测得实际电镀速率为425.5nm/min,验证了仿真模型的可靠性,为电镀镍工艺优化以及SiC硬掩模刻蚀提供了仿真依据.
作者：李培仪 王瑞 雷程 梁庭 白贵文 党伟刚 罗后明 Author：LiPeiyi WangRui LeiCheng LiangTing BaiGuiwen DangWeigang LuoHouming
作者单位：中北大学省部共建动态测试技术国家重点实验室,山西太原030051陕西华燕航空仪表有限公司,陕西汉中723102
刊名：电镀与精饰 ISTICPKU
Journal：Plating&Finishing
年，卷(期)：2023, 45(12)
分类号：TQ153.2
关键词：碳化硅 电镀镍 仿真模拟
Keywords：siliconcarbide nickelplating simulation
机标分类号：TN304.24TM242O469
在线出版日期：2023年12月18日
基金项目：山西省科技重大专项计划揭榜挂帅项目，山西省重点研发计划项目碳化硅表面镀镍速率研究[
期刊论文] 电镀与精饰--2023, 45(12)李培仪 王瑞 雷程 梁庭 白贵文 党伟刚 罗后明针对碳化硅基底深刻蚀过程中镍掩模的厚度会影响刻蚀效果,为解决电镀镍时电镀速率不同从而导致厚度无法保证的问题.采用COMSOLMultiphysics软件对阴极镀层厚度进行模拟的方法,研究了不同电导率对电镀速率的影响.通过对...参考文献和引证文献
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