文档名：铜互连阻挡层化学机械抛光时互连线厚度的控制
摘要：集成电路铜互连沟槽内互连线厚度(THK)影响着集成电路的性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一.基于无氧化剂、无缓蚀剂的碱性抛光液,研究了铜螯合剂FA/OⅡ、介质促进剂柠檬酸钾(CAK)和抑菌剂1,2-苯并异噻唑啉-3-酮(BIT)对铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)中Cu去除速率和TEOS(正硅酸乙酯)去除速率及THK的影响.结果表明,THK受TEOS与Cu去除速率选择比的影响,与铜电阻呈负相关的关系.当FA/OⅡ质量分数为0.8%、CAK质量分数为1%及BIT质量分数为0.04%时,TEOS与Cu的去除速率比约为1.7,THK和电阻分别为225nm和0.18Ω,均满足工业生产要求.
作者：王海英 王辰伟 刘玉岭 赵红东 杨啸 陈志博 王雪洁 Author：WANGHaiying WANGChenwei LIUYuling ZHAOHongdong YANGXiao CHENZhibo WANGXuejie
作者单位：河北工业大学电子信息工程学院,天津300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130河北工业大学电子信息工程学院,天津300130;光电信息科学与工程控制和安全技术重点实验室,天津300308
刊名：电镀与涂饰 ISTICPKU
Journal：Electroplating&Finishing
年，卷(期)：2023, 42(15)
分类号：TN305.2
关键词：铜互联 阻挡层 化学机械抛光 互连线厚度 去除速率 电阻
Keywords：copperinterconnection barrierlayer chemicalmechanicalpolishing thicknessofinterconnectline removalrate resistance
机标分类号：
在线出版日期：2023年9月6日
基金项目：国家自然科学基金，天津市科技计划项目铜互连阻挡层化学机械抛光时互连线厚度的控制[
期刊论文] 电镀与涂饰--2023, 42(15)王海英 王辰伟 刘玉岭 赵红东 杨啸 陈志博 王雪洁集成电路铜互连沟槽内互连线厚度(THK)影响着集成电路的性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一.基于无氧化剂、无缓蚀剂的碱性抛光液,研究了铜螯合剂FA/OⅡ、介质促进剂柠檬酸钾(CAK)和抑菌剂1,2-苯并异噻唑啉-3-酮(...参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
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